半导体参数分析仪4200A

主要性能指标

I-V 源测量单元 (SMU)

• ± 210 V/100 mA 或 ± 210 V/1 A 模块
• 100 fA 测量分辨率
• 选配前端放大器提供了 10 aA 测量分辨率
• 10 mHz - 10 Hz 超低频率电容测量
• 四象限操作
• 2 线或 4 线连接

C-V 多频率电容单元 (CVU) 

• AC 阻抗测量 (C-V, C-f, C-t)
• 1 kHz - 10 MHz 频率范围
• ±30 V (60 V差分)，内置 DC 偏置源可以

扩展到 ± 210 V(420 V差分)

脉冲式 I-V 超快速脉冲测量单元 (PMU)

• 两个独立的高速脉冲 I-V 源和测量通道
• 200 MSa/s，5 ns 样点间隔
• ±40 V (80 V p-p )，±800 mA
• 瞬态波形捕获模式
• 任意波形发生器，10 ns 可编程分辨率

高压脉冲发生器单元 (PGU)

• 两个高速脉冲电压源通道
• ±40 V (80 V p-p )，± 800 mA
• 任意波形发生器，10 ns 可编程分辨率

I-V/C-V 多通道开关模块 (CVIV)

• 在 I-V 和 C-V 之间切换，无需抬起探针
• 任意端子C-V测量，无需抬起探针
• 支持 ±210 V DC 偏置源

远程前端放大器 / 开关模块 (RPM)

• 在I-V、C-V和脉冲I-V测量之间自动切换
• 扩展4225-PMU 的电流灵敏度到数十皮安
• 降低电缆电容效应